Logo após o anúncio do novo CEO e de uma escalada nas ações, a Intel deu mais um passo significativo na corrida dos semicondutores ao iniciar a produção de wafers em seu processo 18A (1.8nm) na fábrica do Arizona.
A transição marca a transferência da tecnologia, anteriormente testada no Oregon, para uma das instalações de alto volume da empresa, os Fabs 52 e 62.
A mudança representa uma conquista relevante, já que a Intel tem apostado no processo 18A para recuperar sua posição de liderança na indústria, que enfrenta uma concorrência sem precedentes dos asiátios.
A tecnologia utiliza os novos transistores RibbonFET e um sistema de entrega de energia traseira, projetado para aumentar a eficiência energética e melhorar a densidade dos chips.
Anúncio foi feito por engenheiro da Intel
A notícia desse avanço foi divulgada por Pankaj Marria, gerente de engenharia da Intel, em um post no LinkedIn.
Ele destacou o papel da equipe “Eagle Team” (Equipe Águia) na liderança dA CONQUISTA e comemorou o início da produção no Arizona. Em sua publicação, Marria escreveu:
Orgulhoso de fazer parte da Eagle Team, liderando o caminho para trazer a tecnologia Intel 18A à vida! Nossa equipe esteve na vanguarda da produção dos primeiros lotes bem aqui no Arizona, marcando um passo fundamental na evolução da fabricação de semicondutores de ponta
The most important $INTC announcement today wasn’t the CEO announcement.
It was 18A wafers coming off the line at their new fab in Arizona. This fab is only meant to start output mid 25 so it looks like it is ahead of schedule.
Congratulations to all the @Intel engineers!
pic.twitter.com/730Otd4B3p
— Mojo (@Mojo_flyin) March 13, 2025
Diferenciais inovadores do processo Intel 18A
Não é à toa que o projeto Intel 18A representa um dos maiores avanços na fabricação de semicondutores, já que é a primeira tecnologia sub-2nm desenvolvida e produzida na América do Norte.
1. Principais melhorias do Intel 18A
- Até 15% mais desempenho por watt e 30% maior densidade de transistores comparado ao Intel 3.
- PowerVia: a primeira implementação comercial da tecnologia de entrega de energia traseira.
- RibbonFET: a adoção da arquitetura Gate-All-Around, permitindo maior controle do fluxo elétrico.
- HD MIM capacitores: melhoria significativa na estabilidade da tensão, essencial para cargas de trabalho exigentes como IA generativa.
- Compatibilidade total com ferramentas EDA e fluxos de referência, facilitando a transição de outras tecnologias de fabricação.
- Parcerias estratégicas com mais de 35 empresas líderes para acelerar a adoção do novo nó tecnológico.
2. PowerVia: tecnologia de entrega de energia pela parte traseira
Esta é a inovação exclusiva da Intel que revoluciona a maneira como a energia é entregue aos transistores dentro de um chip. Em processos tradicionais, os sinais de controle e a distribuição de energia competem pelo espaço na parte frontal do wafer, levando a congestionamento e aumento da resistência elétrica.
Características do PowerVia
- Realocação das linhas de energia para a parte traseira do chip, liberando espaço na frente para sinais de controle e comunicação.
- Redução da resistência da entrega de energia, melhorando a eficiência e permitindo frequências mais altas.
- Aumento da densidade de células padrão em 5-10%, otimizando o espaço no design do chip.
- Melhoria de até 4% no desempenho ISO-power, reduzindo o impacto da queda de tensão (IR drop) em relação aos designs tradicionais de entrega de energia pela parte frontal.
Desta forma,este método de entrega de energia separa completamente os caminhos de sinal e de alimentação, resultando em menor interferência e maior estabilidade operacional.
Vale lembrar que a Intel é a primeira empresa da indústria de semicondutores a implementar essa tecnologia em escala industrial.
3. RibbonFET: a nova geração de transistores da Intel
RibbonFET é a implementação da Intel da tecnologia Gate-All-Around (GAA), que substitui os tradicionais FinFETs. Enquanto os FinFETs usavam uma única “barbatana” para controlar o fluxo de corrente, os transistores GAA utilizam múltiplas “fitas” (ribbons) envoltas pelo gate, permitindo um controle mais preciso da corrente elétrica.
Vantagens do RibbonFET sobre FinFET
- Controle mais rigoroso do canal do transistor, reduzindo vazamento de corrente e permitindo designs mais eficientes.
- Melhor desempenho por watt, proporcionando maior eficiência energética.
- Operações de baixa tensão (Vmin) otimizadas, resultando em menos consumo de energia.
- Maior flexibilidade no design, permitindo diferentes larguras de fita para otimizar desempenho e consumo energético.
- Menor interferência eletrostática, garantindo estabilidade mesmo em densidades mais altas de transistores.
Os transistores RibbonFET são essenciais para atingir nós de processo abaixo de 2 nm, e a Intel adotou essa tecnologia em sua arquitetura 18A.
| Ano de Lançamento | Nós de Processo (nm) | Tecnologia de Transistor | Destaques |
|---|---|---|---|
| 2006 | 65 | Planar CMOS | Primeira introdução de tecnologia de fabricação avançada |
| 2008 | 45 | Planar CMOS | Redução significativa de consumo de energia |
| 2011 | 32 | Planar CMOS | Avanço na miniaturização dos transistores |
| 2014 | 22 | FinFET | Introdução do FinFET para maior eficiência |
| 2017 | 14 | FinFET | Otimizações em desempenho e eficiência |
| 2019 | 10 | FinFET | Aprimoramento no design de transistores |
| 2021 | 7 | FinFET | Mudança na nomenclatura para Intel 7 |
| 2023 | Intel 4 (7nm) | EUV + FinFET | Uso de litografia EUV para melhor desempenho |
| 2024 | Intel 3 (5nm) | EUV + FinFET | Última geração de FinFET antes do RibbonFET |
| 2025 | Intel 18A (1.8nm) | RibbonFET + PowerVia | Nova arquitetura RibbonFET e PowerVia para maior eficiência energética |
Nova direção e impacto no mercado
Enquanto a empresa avança em seu roadmap de produção, a Intel também passa por mudanças estratégicas. Recentemente, Lip-Bu Tan foi nomeado como novo CEO da companhia, levando a um aumento no valor das ações.
Sob sua liderança, que iniciará em 18 de março, a Intel está focada em traçar um plano para que suas fábricas sejam uma alternativa realmente competitiva contra a TSMC, ao mesmo tempo em que continua trabalhando com a fabricante taiwanesa para atender às demandas do mercado.
Testes com NVIDIA e Broadcom
O avanço da Intel também atrai atenção de grandes players. Relatos indicam que empresas como NVIDIA e Broadcom estão conduzindo testes com o processo 18A da Intel, o que pode fortalecer ainda mais a posição da companhia no setor de foundries.
Além do setor privado, o governo norte-americano também tem demonstrado confiança no potencial da Intel. A empresa recebeu um investimento de US$ 3 bilhões para fornecer chips 18A ao exército dos EUA, construindo uma estratégia de produção doméstica de semicondutores e reduzindo a dependência de fornecedores estrangeiros.
A chegada dos wafers 18A no Arizona é um marco histórico para a Intel e para a indústria de semicondutores nos EUA. Estamos pavimentando o caminho para uma nova era de inovação e eficiência energética
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O futuro da tecnologia 18A
Com os primeiros wafers rodando no Arizona, a Intel se prepara para a produção em massa de seus próximos chips, incluindo os processadores Panther Lake e os chips Xeon 7 para data centers. Se bem-sucedida, a iniciativa pode redefinir a indústria, colocando a Intel em uma posição de maior competividade frente à TSMC e outras fabricantes.
Fonte: Tom’s Hardware
